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在(d)和(e)中，球输10L区域的位置用箭头表示。配电破ReSe2的拉曼信号中110~124cm-1的重叠频带组和158cm-1处的峰随着激发极性旋转360°之后发生的明显弹性变化。
图6c和d第二个样品中也表现出类似的结果，及控说明测定ReSe2样品的绝对取向就是计算拉曼张量的已知因素。制市(iii)它在单层单元内具有高度各向异性结构。TMD为生产相对大面积的单分子层半导体提供了很大的可能性，场规利用其光学、电子或自旋特性，可以将其制成纳米级器件结构。
通过AFM可以确定ReSe2的层数自5-10层之间，模突在对这些不同层数的ReSe2进行拉曼表征可以看到强振动频率范围为100~300cm-1，模突其中521cm-1处是对应Si衬底的拉曼峰。亿美元(d)ReSe2中124cm-1波段的空间强度分布(假定颜色亮度的增加表明拉曼信号的增加)。
图6a中进一步的DFT模拟计算可以看出实验测试点值与模拟实线值具有非常高的拟合度，年全虚线的位置表明了两种模式中每种模式中获得最强散射的方向。
因此，球输DanielWolverson等人结合拉曼光谱及理论计算对确定单层，少层和块体ReSe2的信息提供了非常有意义的参考价值。配电破可以实现迁移加氢炔化和不对称加氢炔化。
文献链接：及控Nickel-catalysedmigratoryhydroalkynylationand enantioselectivehydroalkynylationofolefinswithbromoalkynes.Nat.Commun.,2021,DOI:10.1038/s41467-021-24094-9本文由材料人学术组tt供稿，及控材料牛整理编辑。制市使用简单的手性PyrOx配体也实现了苯乙烯的催化对映选择性加氢炔化。
获得的对映体富集的苄基炔烃是通用的合成中间体，场规可以很容易地转化为合成有用的手性合成子。模突目前正在进行对该转变的迁移对映选择性版本的机制研究。
